人工智能浪潮正以超乎预期的速度重塑全球半导体供应链，存储芯片巨头SK海力士传出的最新信号，预示着市场可能正迈向一个由供应短缺和价格飙升定义的新周期。
华尔街见闻此前提及，SK海力士三季度业绩创历史新高，运营利润飙升62%，背后是其HBM高带宽内存的全面“售罄”。公司已锁定2026年全部DRAM和NAND客户需求，HBM4将于2025年底出货。
据追风交易台消息，摩根士丹利分析师Shawn Kim和Duan Liu在29日的报告中指出，SK海力士的“售罄”信号，显示供应将更加紧张，价格上涨环境将持续贯穿2026年。分析师将2026年DRAM价格预期从此前的同比增长26%上调至30%，使SK海力士的前景更加接近2017-2018年的超级周期基准。
这一调整使得摩根士丹利对SK海力士2025-2027年的每股收益预测分别上调5%、14%和15%。基于剩余收益模型，分析师将目标价从57万韩元上调至63万韩元，相当于2026年预期市净率2.6倍，较当前水平有15%的上行空间。摩根士丹利维持“增持”评级和“具吸引力”的行业观点。
供需失衡加剧，DRAM库存告急人工智能应用的全面爆发是此轮存储市场需求激增的核心驱动力。根据摩根士丹利的报告，AI推理计算的需求正在极大提振通用型存储芯片市场，快速消耗了行业库存，并为价格持续上涨提供了动力。
SK海力士管理层的表态证实了供应的紧张程度。据称，DDR5内存芯片的库存已降至约两周的极低水平，几乎是“生产出来就即刻发货”。同时，NAND闪存的库存也已回归到4-5周的正常化水平。这一局面直接反映了市场需求的强劲，尤其是来自超大规模数据中心服务器和AI生成内容存储的eSSD需求正在激增。
基于此，摩根士丹利预测，行业范围内的DRAM合约价格在2025年第四季度将实现高双位数（high-teen-digit）的环比增长，而NAND价格的环比涨幅也将在10-15%之间。
分析师在报告中强调,市场似乎已准备好继续奖励SK海力士——将一个实质上占营收20%的AI业务(HBM)扩展至100%的营收(DRAM、NAND)，这种扩张具有可持续性，并拥有实质性的定价权。
HBM领导地位稳固，资本开支将大幅增长据摩根士丹利估计，SK海力士2026年资本开支预计将大幅超过以往水平，从2025年的约27万亿韩元增长约30%至35万亿韩元。晶圆制造设备(WFE)与基础设施的比例预计将从2025年的55%上升至2026年的60%，主要用于支持M15X工厂的产能爬坡。DRAM仍占WFE总支出的约90%。
M15X工厂的启动早于预定计划，设备安装已在进行中，将用于2026年的HBM生产。DRAM和NAND的扩张将由技术迁移推动，包括向1c DDR5和321层QLC(从238层TLC)迁移。摩根士丹利估计2026年总资本支出将增长约42%至35万亿韩元。
报告还指出，AI推理计算需求的激增正在推动商品存储器需求增长，消耗库存并维持价格动能。强劲的季度业绩如预期般由AI需求主导，包括推理计算提振商品存储器需求。SK海力士在HBM领域的领导地位以及所有商品存储器需求的阶跃式变化，为其带来更高的存储器定价机会。
摩根士丹利在报告中总结称，近期商品DRAM和NAND需求的意外激增，为2026年的严重供应短缺奠定了基础，更强劲的市场状况可能持续至2026年。
大摩上调预期，重申“增持”评级摩根士丹利团队上调了其关键财务预测。该行将2026年DRAM混合平均售价的年增长率预期从此前的+20%上调至+30%，指出这一水平可与上一轮超级周期相媲美。
此番调整直接提振了对SK海力士的盈利预期。摩根士丹利将该公司2025、2026和2027财年的每股收益(EPS)预估分别上调了5%、14%和15%。
在新的估值模型下，摩根士丹利将SK海力士的目标价上调至63万韩元，对应2.6倍的2026年市净率(P/B)，并维持“增持(Overweight)”评级。该行认为，鉴于SK海力士在HBM领域的领导地位以及通用型存储价格的急剧反弹，其股价仍有上涨空间。
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